韶关市金源金属材料有限公司供应磷化铟、磷化铟单晶、磷化铟晶片2寸3寸4寸,
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简要介绍 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,是生产光通讯中InP基激光二极管(LD),发光二极管(LED)和光探测器等的关键材料 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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详细参数 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
InP单晶基片 InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,是生产光通讯中InP基激光二极管(LD),发光二极管(LED)和光探测器等的关键材料,这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP也非常适用于高频器件,如高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)等方面由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用. InP单晶材料的主要生长方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)/垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等。
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