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韶关市金源金属材料有限公司供应磷化铟、磷化铟单晶、磷化铟晶片2寸3寸4寸，
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人才理念： 企业的成功来自于每一名员工的付出。
经营理念： 以质量求生存 以服务求发展。
服务理念： 始于客户需求，终于客户满意。
联系人：李先生
手机：13826310980 （微信同号）
| 简要介绍 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,是生产光通讯中InP基激光二极管（LD），发光二极管（LED）和光探测器等的关键材料 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 详细参数 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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InP单晶基片 InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,是生产光通讯中InP基激光二极管（LD），发光二极管（LED）和光探测器等的关键材料，这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP也非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等方面由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用. InP单晶材料的主要生长方法，包括传统液封直拉技术（LEC）、改进的LEC技术、气压控制直拉技术（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）等。
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