韶关市金源金属材料有限公司供应氮化镓(GaN)、氮化镓(GaN)单晶、氮化镓(GaN)晶片2寸3寸4寸,
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经营理念: 以质量求生存 以服务求发展。
服务理念: 始于客户需求,终于客户满意。
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简要介绍
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GaN具有宽的直接带隙,强的原子键,高的热导率等性质和强的抗辐照能力,不仅是短波长光电子材料,也是高温半导体器件的换代材料,GaN体系可以用来制备蓝、绿光LED,蓝紫、紫外光LD、紫外探测器以及高频大功率电子器件。
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详细参数
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产品型号Item
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GaN-FS-10
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GaN-FS-15
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尺寸Dimensions
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10.0mm×10.5mm
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14.0mm×15.0mm
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孔洞密度Marco Defect Density
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A Level
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0 cm-2
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B Level
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≤ 2 cm-2
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厚度Thickness
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Rank 300
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300 ± 25 μm
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Rank 350
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350 ± 25 μm
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Rank 400
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400 ± 25 μm
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晶体取向Orientation
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C-axis(0001) ± 0.5°
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TTV(Total Thickness Variation)
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≤15 μm
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弯曲度BOW
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≤20 μm
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导电类型Conduction Type
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N-type
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Semi-Insulating
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电阻率Resistivity(300K)
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< 0.5 Ω·cm
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>106 Ω·cm
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位错密度Dislocation Density
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Less than 5x106 cm-2
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有效面积Useable Surface Area
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> 90%
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抛光Polishing
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Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished
Back Surface: Fine ground
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包装Package
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Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.
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